William Shockley fue un físico e inventor estadounidense. Su estudio de semiconductores le valió un Premio Nobel de Física junto con John Bardeen y Walter Brattain. Graduado del Instituto de Tecnología de California y del Instituto de Tecnología de Massachusetts, trabajó en los Laboratorios Bell durante una cantidad considerable de tiempo para trabajar en lo que se convertiría en su creación. Dirigió numerosos equipos de investigación y trabajó en muchos estudios científicos notables. Durante la última parte de su vida, Shockley incursionó en la eugenesia. Sus estudios y teorías de inferioridad negra lo convirtieron en un paria académico. Su vida personal se vio empañada por el extrañamiento. Sus hijos de su primer matrimonio, con quienes apenas habló durante su vida, ni siquiera asistieron a su funeral cuando falleció. Su compañera a largo plazo fue su segunda esposa, Emmy. Sus cambios de humor extremos y su naturaleza terca le quitaron la esencia de lo que lo convirtió en un gran científico y lo dejaron un hombre cuyo legado vivió en su trabajo y no como un ser humano.
Infancia y vida temprana
William Bradford Shockley Jr. nació el 13 de febrero de 1910 en Londres, Inglaterra. Su padre, William Hillman Shockley, era ingeniero de minas y su madre, Mary Bradford, fue la primera mujer inspectora minera adjunta de los Estados Unidos. Sus padres eran estadounidenses y él creció en Palo Alto, California desde los 3 años.
Shockley estudió en el Instituto de Tecnología de California y recibió su Licenciatura en Ciencias en 1932.
Estudió para su doctorado. en el Instituto de Tecnología de Massachusetts con el profesor J.C. Slater. Su tesis fue sobre la estructura de la banda de energía del cloruro de sodio. Recibió su doctorado en 1936. El mismo año, se unió a Bell Labs en Nueva Jersey y comenzó a investigar sobre semiconductores. El grupo de investigación fue encabezado por Clinton Davisson. Escribió muchos artículos fundamentales y los publicó en "Revisión física".
Carrera
En Bell Labs, Shockley estuvo involucrado en la investigación de radar. Esto fue cuando estalló la Segunda Guerra Mundial. Durante la guerra, en mayo de 1942, se desempeñó como director de investigación del Grupo de Investigación de Operaciones de Guerra Antisubmarina de la Marina de los EE. UU.
En 1944, organizó un programa de entrenamiento para pilotos de bombarderos B-29 y realizó giras por todo el mundo para analizar los resultados. La capacitación implicó el uso de nuevas miras de bombas de radar. Por esto, fue galardonado con la "Medalla al Mérito" el 17 de octubre de 1946.
El Departamento de Guerra le pidió que preparara un informe sobre las víctimas de la invasión de Japón en julio de 1945. Su informe sentó las bases para los bombardeos de Hiroshima y Nagasaki y la eventual rendición de Japón.
En 1945, después de que terminó la guerra, fue invitado a formar un grupo de estado sólido que involucraba a Stanley Morgan, John Bardeen, Walter Brattain, Gerald Pearson, Robert Gibney e Hilbert Moore. Se les entregó la responsabilidad de encontrar una alternativa de estado sólido a los tubos de vacío de vidrio. Después de muchos fracasos e intentos, el grupo pudo presentar un documento sobre sus hallazgos en 1946.
Shockley, Bardeen y Brattain inventaron el transistor de contacto puntual en 1947, que reemplazó a los transistores voluminosos tradicionales. Este trabajo les valió el Premio Nobel de Física.
Publicó un tratado de 558 páginas, "Electrones y agujeros en semiconductores", una colección de su investigación y trabajo en 1950. Esto se convertiría en una referencia para otros científicos que trabajan en el desarrollo de semiconductores y sus variantes.
Inventó el transistor de unión en 1951 y anunció su invención en una conferencia de prensa el 4 de julio de ese año. El mismo año, fue elegido miembro de la "Academia Nacional de Ciencias" (NAS), una publicación que era demasiado alta para alguien tan joven como de 41 años. Recibió el "Premio Comstock" en 1953 del NAS, así como muchos otros honores.
Se mudó a Mountain View en California en 1956 y creó el "Laboratorio de semiconductores Shockley". Después de su victoria Nobel, se volvió paranoico y autocrático, obligando a 8 colegas en su laboratorio a renunciar. Estos 8 pasaron a formar el "Fairchild Semiconductor" sin él.
Fue nombrado miembro del Comité Asesor Científico del Presidente en 1962. En 1963, recibió la Medalla Holley de la Sociedad Americana de Ingenieros Mecánicos.
Durante la década de 1960 comenzó a cuestionar activamente las diferencias intelectuales entre razas. Muchas de sus impactantes propuestas incluyeron la esterilización pagada de individuos con un coeficiente intelectual inferior a 100 y declararon que una alta tasa de reproducción entre los negros era regresiva.
Fue nombrado el primer profesor de ciencias de ingeniería Alexander M. Poniatoff en 1963 en la Universidad de Stanford, un ascenso de profesor cuando ingresó en 1958. Permaneció en este puesto hasta su retiro en 1975.
Trabajos mayores
El "transistor de punto de contacto" de Shockley fue una gran influencia para ayudar a marcar el comienzo de una era de la electrónica en miniatura. Dirigió un equipo de investigación compuesto por él mismo, John Bardeen y Walter H. Brattain, y utilizó semiconductores para amplificar señales electrónicas. El transistor se mejoró aún más, lo que reemplazó los tubos de vacío voluminosos y menos eficientes.
Premios y Logros
Su mayor gloria fue el "Premio Nobel de Física" en 1956. Se le otorgó por la invención del "transistor de punto de contacto" en 1947. Fue el co-receptor del premio junto con sus colegas John Bardeen y Walter Brattain
Tenía a su nombre más de 90 patentes estadounidenses, la primera de las cuales era el "Dispositivo de descarga de electrones" en multiplicadores de electrones.
Su contribución a la ciencia le valió muchos honores y medallas. El Instituto de Ingenieros de Radio (ahora, Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos, IEEE) le otorgó el Premio Maurice Liebman Memorial en 1980.
Vida personal y legado
A la edad de 23 años, se casó con Jean Alberta Bailey de Iowa en agosto de 1933. En marzo de 1934 tuvieron su primera hija, Alison. Más tarde la pareja se divorció.
Más tarde se casó con Emmy Lanning, una enfermera psiquiátrica. Le sobrevivió 18 años y falleció el 28 de abril de 2007.
Fue un escalador consumado e hizo muchas caminatas y escaladas en los "Shawangunks" en el valle del río Hudson. Una ruta allí se llama "Techo de Shockley". Era un mago aficionado, orador y profesor.
Falleció el 12 de agosto de 1989 debido a un cáncer de próstata. Estaba separado de sus amigos y familiares y sus hijos se enteraron de su muerte a través de los medios de comunicación. Su lugar de descanso es "Alta Mesa Memorial Park" en Palo Alto, California.
Trivialidades
Aunque su trabajo más significativo incluía semiconductores, consideraba la genética como su campo principal.
Fue donante de esperma en el infame "Repository for Germinal Choice", conocido popularmente como "El banco de esperma del Premio Nobel". Él fue el único en reconocer públicamente su contribución al banco.
Fue educado en casa hasta la edad de 8 años. Esto se debió a que sus padres pensaron que podían proporcionar una educación mejor que cualquier escuela. Otra razón podría haber sido que a menudo se mudaban de un lugar a otro.
Cuando era niño, estaba bastante malhumorado y malcriado; rasgos que heredó de sus padres. Pero también poseía un hueso divertido y era un bromista práctico en la universidad.
Hechos rápidos
Cumpleaños 13 de febrero de 1910
Nacionalidad Estadounidense
Famosos: Físicos Hombres Americanos
Murió a la edad: 79
Signo del sol: Acuario
También conocido como: William Bradford Shockley, William Bradford Shockley Jr., William B. Shockley
País de nacimiento Estados Unidos
Nació en: Gran Londres, Inglaterra, Reino Unido
Famoso como Físico
Familia: cónyuge / ex-: Emmy Lanning, Jean Bailey padre: William Hillman Shockley madre: Mary falleció el 12 de agosto de 1989 lugar de fallecimiento: Stanford Ciudad: Londres, Inglaterra Fundador / cofundador: Shockley Semiconductor Laboratorio descubrimientos / inventos: Transistor Más información sobre los hechos: Instituto de Tecnología de Massachusetts, Instituto de Tecnología de California Premios: Premio Nobel de Física (1956) Premio Comstock en Física (1953) Premio Oliver E. Buckley de Materia Condensada (1953) Medalla Wilheln Exner (1963) Medalla de Honor IEEE (1980)
